1. 실험제목
결정의 전기 전도도
2. 실험목적
금속박막과 반도체의 온도변화에 따른 전기전도도의 변화를 비교하고 전기전도
도의 차이가 생기는 이유를 실험을 통하여 검증한다.
3. 실험이론
일반적으로 그림 1과 같이 간단한 모양을 가진 물질의 전기저항 R 은 다음의 식으로 주어진
다.
금속이 무엇인가에 의해 또 어떤 배위자 구조로 조합되는가에 따라 전혀 달라진다.
수 명
OLED 소자의 수명은 일반적으로 휘도가 초기 휘도치의 반으로 떨어질 때까지 걸리는 시간 즉 휘도 반감시간으로 나타낸다. 소자의 수명을 저하시키는 열화의 요인으로는 불순물, 전극과 유기박막 계면에서의
, 바깥쪽의 탐침을 통하여 전류 I(A)를 흐르게 하여 가운데 2개의 탐침 사이의 전위차 V(V)를 측정한다. 그리고 측정값은 극성을 바꾸어 실시하여 그 평균값을 취한다. 면 저항 값을 계산하기 위해서는 저항 값(Ω)에 보정계수를 적용해 줘야 한다. 보정계수는 Sample size와 박막의 두께 그리고 측정 시
금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다.
Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성하고 그 위에 금속 전극을 배치한다. 이 구조를 접합구조로 한 MOS 다이오드, 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트에 사용한 MOSFET 등의 장
박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널접합(tunnel junction) 구조를 이용하여 P-N 접합 태양전지를 금속 전극 없이 반도체 박막만으로 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지는 다중접합 태양전지 제작
PE CVD
PE CVD공정은 Plasma etching 이 사용되기 이전부터 반도체 금속배선의 보호막인 SiN과 SiO2를 저온에서 증착할 수 있는 새로운 생성원으로 소개
PE CVD기술은 SiO2와 SiN 박막 형성 뿐만 아니라 최근에는 천이금속이나 천이금속 실리사이드 형성에도 널리 사용
PE CVD의 박막 형성 mechanism
Plasma 에서 이
금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막 증착시에는 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하며 3, 4 인치 웨이퍼를 비롯
박막 형태에서도 그 기능이 유지되기 때문에 초박막 나노 소자도 개발이 가능하다.
유기물을 이용한 전자 소자는 매우 다양한 종류가 있다. 우리가 살펴보려고 하는 유기박막트랜지스터(OTFT; Organic Thin Film Transistor), 최근 디스플레이 분야에서 가장 큰 이슈가 되고 있는 유기발광다이오드(OLED; Organic Ligh
금속이온복합체의 전기적 인력에 의해 CNT에 금속 이온이 달라붙게 된다. 달라붙은 이온은 Reduction과정을 거쳐 순수 금속분자로 구성된 layer를 형성하게 한다 (예 : InCl3 + Citric Acid complex의 경우 NaBH4 용액으로 처리)
그 후 산화물박막을 원하는 경우 Oxidation과정을 거친다. (주로 공기중에서 자연적으로 산
CIGS의 박막기술(국내 기술동향)
유기금속 기상성장 법(MOCVD)
→ 화학 기상 증착(CVD) 방법 중의 한가지로, 유기 금속 증기를 열 분해 반응시켜 기판상에 금속 화합물을 퇴적 증착 시키는 방법
→ 이원화합물 반도체의 성장에서 충분한 성능 입증 - 반도체 공정에서 상용화된 기술